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從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對...
2022-03-20
碳化硅 MOSFET 性能
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低能量水平下的電壓轉(zhuǎn)換
本文將介紹一類新的DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中一個例子是LTC3336。它在待機模式下僅消耗約65 nA的電流，非常適合電池供電系統(tǒng)。
2022-03-20
電壓轉(zhuǎn)換 DC-DC轉(zhuǎn)換器 LTC3336
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更多SiC FET選項意味著能更靈活地選擇劃算的解決方案
在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器的過程中需要權(quán)衡大量參數(shù)。UnitedSiC通過自己的FET-JET計算器和多種零件讓評估變得簡單易行。
2022-03-19
SiC FET 解決方案 功率轉(zhuǎn)換器
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用電壓監(jiān)控器SGM891B實現(xiàn)電源動作靈活精準控制
在電源系統(tǒng)中由于負載對電源電壓范圍有一定要求，同時給負載供電的輸入電壓可能有一定波動范圍，比如超級電容、電池等作為電源輸入時，其電壓往往有較大的波動范圍。那么在實際應(yīng)用系統(tǒng)中就需要對電源進行一定控制，在監(jiān)控電源電壓的同時做出相應(yīng)的動作，往往需要在電源電壓達到負載穩(wěn)定工作的電壓...
2022-03-19
電壓監(jiān)控器 SGM891B
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ETHISPHERE宣布安森美連續(xù)第七年獲選為2022年世界最道德企業(yè)之一
2022年3月16日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，獲Ethisphere選為2022年世界最道德企業(yè)之一。Ethisphere是定義和推進合乎商業(yè)道德標準的一個全球領(lǐng)導者。這是安森美連續(xù)第七年上榜。2022年，來自22個國家、跨45個行業(yè)的136家企業(yè)受到表彰。半導體行業(yè)則只...
2022-03-16
ETHISPHERE 安森美 最道德企業(yè)
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使用最新的SiC FET技術(shù)提升車載充電器性能
碳化硅FET已經(jīng)在車載充電器（OBC）電路領(lǐng)域確立了自身地位，尤其是在電池工作電壓超過500V的情況下。這些器件的低功率損耗使得穿孔封裝和表面安裝式封裝都可以用于此應(yīng)用。我們調(diào)查了這些封裝選項的相對熱性能，并證實了TO247-4L和D2PAK-7L選項可用于6.6 kW和22 kW充電器。
2022-03-15
SiC FET 車載充電器 性能
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電源設(shè)計：如何利用波特圖來滿足動態(tài)控制行為的要求
本文介紹如何利用波特圖來快速評估您的電源設(shè)計是否滿足動態(tài)控制行為要求。電源通常通過控制環(huán)路保持固定的輸出電壓。這個控制環(huán)路可能穩(wěn)定，也可能不穩(wěn)定；可以快速調(diào)節(jié)，也可以慢速調(diào)節(jié)。在大多數(shù)情況下，都可以使用波特圖來描述控制環(huán)路。通過使用波特圖，您可以查看控制環(huán)路的速度，特別是其調(diào)...
2022-03-14
電源設(shè)計 波特圖 動態(tài)控制
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HT7181 3.7V/7.4V升16V內(nèi)置MOS大功率升壓IC解決方案
DC-DC升壓電路在電子電路中是很常見的，無論是匹配不同器件的工作電壓需要還是為了提高足夠的輸出功率，都必須用到升壓電路。特別是便攜式的電子產(chǎn)品，電源是電池供電，如單雙節(jié)鋰電、三節(jié)鋰電或鉛酸電池12V。通過DC-DC升壓電路，升壓后給其他電路供電。
2022-03-14
HT7181 DC-DC升壓電路 解決方案
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第4代SiC MOSFET為何備受青睞？
近年來，為了實現(xiàn)“碳中和”等減輕環(huán)境負荷的目標，需要進一步普及下一代電動汽車（xEV），從而推動了更高效、更小型、更輕量的電動系統(tǒng)的開發(fā)。尤其是在電動汽車（EV）領(lǐng)域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動核心作用的電控系統(tǒng)的效率已成為一個重要課題。SiC（碳化硅）作為新一...
2022-03-14
SiC MOSFET 電動汽車
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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