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鎧俠參展CFMS 2025：布局下一代先進(jìn)存儲(chǔ)，持續(xù)助力高能AI
3月12日，全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商鎧俠參展中國閃存市場(chǎng)峰會(huì)CFMS 2025/MemoryS 2025，在現(xiàn)場(chǎng)針對(duì)人工智能 AI應(yīng)用提出了全新的存儲(chǔ)解決方案，并預(yù)告了全新一代的QLC企業(yè)級(jí)與數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD，以及下一代BiCS FLASH?，為云端計(jì)算、大模型加速，提供了高效、可靠的先進(jìn)存儲(chǔ)解決方案。
2025-03-18
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
2025-03-17
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工業(yè)應(yīng)用中輔助電源技術(shù)綜述
本文介紹了工業(yè)應(yīng)用輔助電源解決方案，包括兩級(jí)式輔助電源架構(gòu)和各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。第一級(jí)輔助電源通常使用反激拓?fù)?，英飛凌的1700V CoolSiC? SiC MOSFET可以幫助客戶簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。第二級(jí)輔助電源可以使用LLC、推挽式或全橋式拓?fù)?，英飛凌的2EP1XXR系列驅(qū)動(dòng)IC可以提供簡(jiǎn)單靈活的解決方案。
2025-03-17
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為什么碳化硅Cascode JFET?可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。
2025-03-11
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貿(mào)澤電子與NXP聯(lián)合推出全新電子書，提供有關(guān)電動(dòng)汽車電機(jī)控制的專業(yè)觀點(diǎn)
專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子貿(mào)澤宣布與NXP Semiconductors合作推出全新電子書，探討工業(yè)和汽車等系統(tǒng)的電氣化對(duì)于電機(jī)控制技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新的高依賴度。高效的電機(jī)控制系統(tǒng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)出色的電動(dòng)汽車 (EV) 性能至關(guān)重要。NXP的新電子書展示了設(shè)計(jì)工程師如何減少功率損耗并改善系統(tǒng)效率，以提高電動(dòng)汽車的可靠性、行駛里程和安全性。
2025-03-11
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SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！
隨著Al 相關(guān)的工作負(fù)載日益復(fù)雜且能耗不斷提升，能夠兼具高能效與高壓處理能力的可靠硅碳化物（SiC）JFET 變得愈發(fā)關(guān)鍵。在此背景下，安森美（onsemi）的SiC Cascode JFET技術(shù)成為了焦點(diǎn)。本文將深入剖析安森美SiC Cascode JFET，涵蓋Cascode（共源共柵）結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)解析、并聯(lián)振蕩現(xiàn)象的探討，以及實(shí)用的設(shè)計(jì)指導(dǎo)原則。接下來，文章將進(jìn)一步闡述在并聯(lián)應(yīng)用中面臨的挑戰(zhàn)。
2025-03-10
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2025上海慕展：安芯易攜萬元“芯”意而來，亮點(diǎn)搶先看！
15場(chǎng)科技論壇，讓展會(huì)更有“深”度 作為全球電子科技領(lǐng)域的頂級(jí)展會(huì)之一，慕尼黑上海電子展（electronica China）已走過20年的輝煌歷程，它不僅是電子科技創(chuàng)新與技術(shù)交流的頂級(jí)平臺(tái)，更是匯聚全球智慧力量的科技盛宴。
2025-03-06
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安森美擬以每股35.10美元現(xiàn)金收購Allegro MicroSystems
安森美于美國時(shí)間3月5日披露了向Allegro MicroSystems, Inc. (以下簡(jiǎn)稱"Allegro") （美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ALGM）董事會(huì)提交的收購提案的詳情，以每股35.10美元的現(xiàn)金收購Allegro的所有已發(fā)行普通股，按完全稀釋后的股本計(jì)算，對(duì)應(yīng)的隱含企業(yè)價(jià)值為69億美元。
2025-03-06
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)。
2025-03-06
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第16講：SiC SBD的特性
SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。
2025-03-03
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三安與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM) ，和中國化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電（上海證券交易所代碼：600703）今日宣布，雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導(dǎo)體有限公司”，以下簡(jiǎn)稱安意法）現(xiàn)已正式通線。這一里程碑標(biāo)志著意法半導(dǎo)體和三安正朝著于2025年年底前實(shí)現(xiàn)在中國本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標(biāo)穩(wěn)步邁進(jìn)，屆時(shí)將更好地滿足中國新能源汽車、工業(yè)電源及能源等市場(chǎng)對(duì)碳化硅日益增長的需求。
2025-02-27
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全民智駕熱潮下，ADAS系統(tǒng)對(duì)電源芯片的四大需求
南芯科技在 ADAS 電源芯片領(lǐng)域早有布局，并于去年發(fā)布了單芯片車載攝像頭 PMIC 系列，通過安全高效的電源管理提升 ADAS 系統(tǒng)攝像頭的穩(wěn)定性與可靠性。其中，SC6201Q 已于去年實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，符合 ASIL-B 功能安全標(biāo)準(zhǔn)要求的 SC6205Q 和 SC6206Q 也已步入規(guī)模量產(chǎn)階段，持續(xù)為 ADAS 應(yīng)用保駕護(hù)航。
2025-02-26
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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